硅铝合金球的热膨胀系数低，密度低，导热系数高，导电性好(电磁干扰/射频干扰屏蔽性能优异)，硬度高，热机械稳定性好，密度高，加工方便，涂层保护方便，以及组装工艺的标准微电子兼容性等。

　　这种球里面的硅含量为27%-70%，实用性强。通过增加铝基体中硅的过饱和度，形成的硅颗粒提高了铝基复合材料的强度。通过调整硅的体积分数，可以得到不同性能的高硅铝合金材料。

　　高硅铝合金的密度在2.3～4.7g/cm3之间，热膨胀系数(CTE)在7～20ppm/℃之间。增加硅含量可以显著降低合金材料的密度和热膨胀系数。同时，高硅铝合金还具有良好的导热性、较高的比强度和刚度，与金、银、铜、镍涂层具有良好的性能，可焊接到基体上，易于加工。

　　电子封装材料是一种应用前景广阔的电子封装材料，特别是在航空航天、空间技术、便携式电子器件等高科技领域[1] 高硅铝合金(AlSi)由硅和铝组成，是一种金属基热管理复合材料。

　　硅铝合金球能保持硅和铝的优良性能，硅和铝的含量相当丰富。硅粉制备工艺成熟，成本低。同时，这种材料不污染环境，对人体无害。